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半导体器件蒸镀缺陷的检测方法

基本信息

申请号 CN202111131340.4 申请日 -
公开（公告）号 CN113871316A 公开（公告）日 2021-12-31
申请公布号 CN113871316A 申请公布日 2021-12-31
分类号 H01L21/66（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 李晓锋;蓝浩涛 申请（专利权）人 浙江里阳半导体有限公司
代理机构 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 代理人 郭燕;彭家恩
地址 317600浙江省台州市玉环市芦浦镇漩门工业区
法律状态 -

摘要

摘要 一种半导体器件蒸镀缺陷的检测方法，包括对蒸镀完成的待测芯片进行加温，使所述待测芯片的导通阻抗增大，获取所述待测芯片的测量导通阻抗数据，根据所述测量导通阻抗数据判断所述待测芯片中是否存在蒸镀缺陷。由于通过使待测芯片升温，使得所述待测芯片内部的水气会在高温下呈现热胀冷缩，并且由于瞬间高电流的原因，污染、油渍等会出现碳化，从而使得待测芯片中接触不良的情形能够提前显现出来，增加了导通电阻的明显度，这样使得在电测时能够检测出电阻偏高的芯片，即这样才能够测量出来待测芯片的测量导通阻抗数据，通过获取待测芯片的测量导通阻抗数据，从而能够确认晶圆上蒸镀的金属是否接触良好。