半导体器件结构
基本信息
| 申请号 | CN202120951524.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214588826U | 公开（公告）日 | 2021-11-02 |
| 申请公布号 | CN214588826U | 申请公布日 | 2021-11-02 |
| 分类号 | H01L23/367（2006.01）I;H01L23/00（2006.01）I;H01L23/28（2006.01）I;H01L29/861（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李晓锋;招景丰 | 申请（专利权）人 | 浙江里阳半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭燕;彭家恩 |
| 地址 | 317600浙江省台州市玉环市芦浦镇漩门工业区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体器件结构，包括第一导热电极层以及依次在所述第一导热电极层上设置的第一应力过渡层、二极管芯片、第二应力过渡层、第二导热层以及第二电极。由于没有将二极管芯片表面直接与第一导热电极层或者第二导热层直接连接，而是通过第一应力过渡层和第二应力过渡层连接，使得在高温时使得第一导热电极层或者第二导热层所出现的内应力不直接作用在二极管芯片上，而是作用在第一应力过渡层或第二应力过渡层上，这样一方面使得在制造二极管器件的烧结过程中不至于造成芯片碎裂，提高了器件制造的一致性，另一方面也可以避免在使用过程中器件的发热所导致损坏芯片的情况，提高使用过程中器件的可靠性和稳定性。 |
