半导体元件的划片方法及划片装置
基本信息
| 申请号 | CN202111117128.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113838750A | 公开（公告）日 | 2021-12-24 |
| 申请公布号 | CN113838750A | 申请公布日 | 2021-12-24 |
| 分类号 | H01L21/304（2006.01）I;B23K26/364（2014.01）I;B23K26/402（2014.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李晓锋;张潘德;杨小辉 | 申请（专利权）人 | 浙江里阳半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭燕;彭家恩 |
| 地址 | 317600浙江省台州市玉环市芦浦镇漩门工业区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体元件的划片方法及划片装置，其中的划片方式是对晶圆的第一面和第二面分别采用第一切割工艺和第二切割工艺，相当于第一切割工艺和第二切割工艺都是对晶圆进行半透切割，共同配合，使得第一切割工艺和第二切割工艺从两面所产生的切痕在晶圆划片道的内部产生交汇，避免晶圆划片中玻璃钝化层上的崩边问题。即使工艺中因为现实的切割误差导致产生一些崩碎，崩碎也不会产生在玻璃钝化层上，不会影响表面的玻璃钝化层，保障了芯片电学性能的稳定。 |
