半导体结构及器件
基本信息
| 申请号 | CN202022573210.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213026135U | 公开（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申请公布号 | CN213026135U | 申请公布日 | 2021-04-20 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李晓锋;黄富强 | 申请（专利权）人 | 浙江里阳半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭燕;彭家恩 |
| 地址 | 317600浙江省玉环市芦浦镇漩门工业区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及器件，其结构包括第一掺杂类型的衬底、穿通区、第一注入区以及第二注入区，穿通区、第一注入区以及第二注入区为第二掺杂类型，穿通区上定义有沟槽区，沟槽区将衬底划分为多个芯片区；第一注入区和第二注入区均与穿通区相连通。第一注入区与衬底形成PN结，第二注入区与衬底也形成PN结，又由于第一注入区和第二注入区通过穿通区连通，因此，可以在衬底中形成PN结的各种器件，该器件可以根据电路设计的需要，选择在不同位置引出电极，从而加工成为不同功能的器件，具有很强的应用灵活性，由于前序工艺固定，不必要再多设计掩膜版或其他刻蚀步骤，因此，可以提高生产效率，也可以降低制造成本。 |
