半导体器件的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110490712.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113299616A | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN113299616A | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01L23/373;H01L23/29;H01L23/31;H01L29/861;H01L23/48;H01L23/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李晓锋;招景丰 | 申请（专利权）人 | 浙江里阳半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭燕;彭家恩 |
| 地址 | 317600 浙江省台州市玉环市芦浦镇漩门工业区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法，包括提供由硅材料制成的第一应力缓冲层和第二应力缓冲层以及提供第一导热金属层、二极管芯片、第二导热金属层，并将第一导热金属层作为底部电极，在第一导热层上依次设置第一应力缓冲层、二极管芯片、第二应力缓冲层以及第二导热金属层，形成初级工件，并将所形成的初级工件进行烧结，最终形成半导体器件，由于在第一导热金属层与二极管芯片之间、第二导热金属层和二极管芯片之间设置的硅材料制成的第一应力缓冲层和第二应力缓冲层，由于通过应力缓冲层连接散热金属层，并结合了烧结的方式制成半导体器件，使器件更加稳定同时在烧结过程中散热金属层的应力作用在应力缓冲层上，提高了器件制造的良率和一致性。 |
