可控硅芯片
基本信息
申请号 | CN202022433222.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN212907748U | 公开(公告)日 | 2021-04-06 |
申请公布号 | CN212907748U | 申请公布日 | 2021-04-06 |
分类号 | H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 李晓锋;黄富强 | 申请(专利权)人 | 浙江里阳半导体有限公司 |
代理机构 | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭燕;彭家恩 |
地址 | 317600浙江省玉环市芦浦镇漩门工业区 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种可控硅芯片,包括基区、第一注入区、第二注入区、第三注入区、所述第一注入区表面上的阳极电极A、第二注入区部分表面上的门极电极G以及第三注入区表面上的阴极电极K,其中,所述门极电极G与所述阴极电极K朝向相同,高度低于所述阴极电极K,且所述门极电极G上具有凹槽。由于凹槽的存在,保障了整体的门极电极G不会高于阴极电极K,使得门极电极G不会被轻易的磕碰损坏,当焊接引线之后,门极电极G上的引线也不容易被碰掉,更加牢固。并且凹槽为该可控硅芯片焊接时提供了一个引线定位槽,提高了可控硅芯片门极电极外部引线焊接的高效性和稳定性。 |
