一种铟镓砷红外探测器材料制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种铟镓砷红外探测器材料制备方法

基本信息

申请号	CN201710508453.9	申请日	-
公开（公告）号	CN107910402B	公开（公告）日	2020-07-17
申请公布号	CN107910402B	申请公布日	2020-07-17
分类号	H01L31/109;H01L31/18	分类	-
发明人	王庶民;潘文武	申请（专利权）人	超晶科技（北京）有限公司
代理机构	北京方安思达知识产权代理有限公司	代理人	超晶科技（北京）有限公司
地址	100083 北京市海淀区学院路30号方兴大厦906室
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种铟镓砷红外探测器件材料的制备方法，包括：1)在磷化铟供体衬底上外延生长缓冲层；2)在缓冲层上形成铟铝砷牺牲层，在牺牲层上形成InP外延薄层；3)在外延薄层上形成InAlAs牺牲层与InP外延薄层；4)重复步骤3)至得到N个InAlAs牺牲层与InP外延薄层；5)从外延薄层侧进行离子注入，在最上一层的牺牲层内形成缺陷层，后将最上一层的外延薄层与硅受体衬底键合，并进行退火处理，使顶层薄膜剥离，对剥离部分表面的InAlAs牺牲层进行表面处理；重复本步骤得到N个Si基InP柔性衬底和含牺牲层的InP供体衬底；6)在柔性衬底上进行InGaAs探测器结构外延生长。本发明为衬底可重复利用、柔性衬底可大规模集成、省去减薄工艺的铟镓砷红外探测器件制备方法。