铟镓氮铋材料和使用该材料的激光器和探测器及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811260058.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109449223B | 公开（公告）日 | 2019-11-29 |
| 申请公布号 | CN109449223B | 申请公布日 | 2019-11-29 |
| 分类号 | H01L31/0304;H01L31/109;H01L31/18;H01S5/343 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 芦鹏飞;张凡;梁丹;王庶民;张丽 | 申请（专利权）人 | 超晶科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京万思博知识产权代理有限公司 | 代理人 | 超晶科技（北京）有限公司 |
| 地址 | 100083 北京市海淀区王庄路1号B座八(七)层C1 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种铟镓氮铋材料和使用该材料的激光器和探测器及制备方法，涉及半导体材料。铟镓氮铋材料包括衬底层、缓冲层和铟镓氮铋材料。铟镓氮铋材料是将铟原子和铋原子同时掺入GaN合金中形成的，能够调节母体晶格常数以及电子性质，从而提高其发光效率。本申请通过调节掺入的铟原子和铋原子的浓度，有效调节GaN材料的禁带宽度，实现从可见光到近红外波段的覆盖，以应用于光电子器件。采用铟原子及铋原子的共掺杂可使材料更易生长并更加稳定。本申请可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。 |
