一种基于光刻工艺实现阵列图案的方法
基本信息
| 申请号 | CN202010255053.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111463106A | 公开（公告）日 | 2020-07-28 |
| 申请公布号 | CN111463106A | 申请公布日 | 2020-07-28 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 张凡;张妮伟;黄望林;向运来;李耀耀;芦鹏飞 | 申请（专利权）人 | 超晶科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京万思博知识产权代理有限公司 | 代理人 | 超晶科技（北京）有限公司 |
| 地址 | 100083北京市海淀区王庄路1号B座八(七)层C1 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种基于光刻工艺实现阵列图案的方法，涉及图案设计及图案制备领域。本申请根据所需制备图案特征，首先选择与新图案尺寸相匹配的光刻掩膜版；然后采用光刻工艺在垂直性好的光刻胶上进行初始图案化，在衬底上形成一层具有功能化阵列镂空图案的光刻胶；进一步选择非垂直镀膜的工艺方法，在上一步初始图案上进行目标材料一层或多层的沉积；最后选择去胶液或丙酮剥离得到目标设计的图案阵列。通过上述工艺，本申请能够减少光刻图案对掩膜版的依附性和降低光刻工艺成本，同时还可以实现复杂图案，且提高良率。本申请还可应用于光电半导体领域，解决相关技术中无法形成像素电极图案的问题，而且可应用于半导体器件中制造精细图案的工艺。 |
