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一种碲镉汞红外探测器件材料的制备方法

基本信息

申请号	CN201710509115.7	申请日	-
公开（公告）号	CN107910404B	公开（公告）日	2020-03-17
申请公布号	CN107910404B	申请公布日	2020-03-17
分类号	H01L31/18;H01L31/09	分类	基本电气元件;
发明人	王庶民;潘文武	申请（专利权）人	超晶科技（北京）有限公司
代理机构	北京方安思达知识产权代理有限公司	代理人	超晶科技（北京）有限公司
地址	100083 北京市海淀区学院路30号方兴大厦906室
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种碲镉汞红外探测器件材料的制备方法，包括：1)提供半导体供体衬底，在半导体供体衬底上外延生长缓冲层，2)生长牺牲层，并在所述牺牲层上形成外延薄层；3)重复步骤2)至形成多个上述牺牲层与外延薄层；4)将受体衬底和最外一层的外延薄层进行键合，并使用离子注入在最上一层的牺牲层内形成缺陷层，并将键合结构剥离得到含有受体衬底的柔性基底，剥离键合结构后残留的部分为第一基底；5)去除第一基底表面的牺牲层，并对去除牺牲层后的第一基底重复采用步骤4)的方法逐层剥离外延薄层，得到多个含有外延薄层和受体基底的柔性基底和残余有牺牲层的供体衬底。本发明克服了现有技术制备碲镉汞红外探测器件材料时存在的缺陷。