实现低温镀膜的热蒸发设备及低熔点的薄膜材料
基本信息
| 申请号 | CN202010236693.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111424238A | 公开（公告）日 | 2020-07-17 |
| 申请公布号 | CN111424238A | 申请公布日 | 2020-07-17 |
| 分类号 | C23C14/24;C23C14/14;C23C14/50;C23C14/56;C23C14/54 | 分类 | - |
| 发明人 | 张妮伟;张凡;王庶民;李嘉;张焱超;芦鹏飞 | 申请（专利权）人 | 超晶科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京万思博知识产权代理有限公司 | 代理人 | 超晶科技（北京）有限公司 |
| 地址 | 100083 北京市海淀区王庄路1号B座八(七)层C1 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种实现低温镀膜的热蒸发设备及低熔点的薄膜材料，涉及半导体领域。本申请采用热蒸发方式镀膜，提供低温生长环境的设备，包括生长腔室、载片腔室和源炉腔室，且每个腔室相互独立保证每次镀膜时生长腔室内真空环境的稳定性。载片腔室中载片装置外接马达，实现载片装置上下移动和旋转，同时在待镀基片装置周围安置制冷装置，通过气体制冷或冷却液制冷方式对镀膜衬底维持一个稳定且较低的温度。故本申请针对具有较低熔点的镀膜材料，有效降低热蒸发镀膜过程中因衬底温度原因导致的侧向生长，间接提高薄膜致密性和均匀性，具有整个生长镀膜工艺简单和制备成本低廉的优点。 |
