一种半导体激光器材料的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201710509143.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107910750B | 公开（公告）日 | 2021-04-16 |
| 申请公布号 | CN107910750B | 申请公布日 | 2021-04-16 |
| 分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王庶民;王畅 | 申请（专利权）人 | 超晶科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京方安思达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈琳琳;李彪 |
| 地址 | 100083北京市海淀区学院路30号方兴大厦906室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器材料的制备方法，包括：提供半导体供体衬底，并在该供体基底上外延生长缓冲层，在所述缓冲层上生长牺牲层，在所述牺牲层上生长半导体薄膜层；在半导体薄膜层侧进行离子注入，在所述牺牲层内形成缺陷层；提供柔性衬底，并使所述半导体薄膜层和柔性衬底键合；对缺陷层进行退火处理，将顶层薄膜沿牺牲层从供体衬底上剥离，得到含有供体衬底的第一基底和含有柔性衬底的第二基底，并去除第二基底上的牺牲层，得到键合有半导体薄膜层的柔性基底。本发明的方法为供体衬底可重复利用，省去减薄工艺的半导体激光器材料制备方法。 |
