用真空中频感应炉冶炼高纯工业硅的方法

基本信息

申请号 CN201910574762.5 申请日 -
公开(公告)号 CN110371983B 公开(公告)日 2019-10-25
申请公布号 CN110371983B 申请公布日 2019-10-25
分类号 C01B33/037(2006.01)I 分类 无机化学;
发明人 吉红旗;周济;李延伟 申请(专利权)人 陕西宝德赛肯光电材料有限公司
代理机构 西安弘理专利事务所 代理人 杜娟
地址 710201陕西省西安市经济技术开发区泾渭新城渭华路北段12号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了用真空中频感应炉冶炼高纯工业硅的方法,采用造粒机对金刚线切割硅片产生的硅锯末料进行造粒,再对其进行烘干处理,得到硅粒;采用真空中频感应炉对硅粒依次进行熔炼、加料、捣料及浇注处理,制得高纯工业硅。本发明用真空中频感应炉冶炼高纯工业硅的方法,在密闭真空环境下实现连续自动进料、连续真空熔炼、连续浇注,避免了大气进入高温熔炼区氧化含硅锯末料,确保了工业硅的高纯度;且整个制备过程不产生废渣、废气,避免了大气污染。