导电薄膜方块电阻多探针测量方法及测量头专利查询专利号|摘要-满商公司网

导电薄膜方块电阻多探针测量方法及测量头

基本信息

申请号	CN201910821249.1	申请日	-
公开（公告）号	CN110426558A	公开（公告）日	2019-11-08
申请公布号	CN110426558A	申请公布日	2019-11-08
分类号	G01R27/02（2006.01）I	分类	测量；测试;
发明人	刘相华	申请（专利权）人	麦峤里（上海）半导体科技有限责任公司
代理机构	上海骁象知识产权代理有限公司	代理人	麦峤里（上海）半导体科技有限责任公司
地址	201203 上海市浦东新区盛夏路608号2幢506室
法律状态	-

摘要

一种导电薄膜方块电阻多探针测量方法及测量头，涉及薄膜检测技术领域，所解决的是提升边缘测量能力的技术问题。该方法在目标样品上设定5个测量点，其中的4个点按传统四探针法排列成一个直线段P14，P5设置在直线段P14的中垂线上，并位于直线段P14的内侧；然后在P1、P4处导入测量电流I的情况下，测量P2、P5之间的电势差U25A及P2、P3之间的电势差U23；在P1、P3处导入测量电流的情况下，测量P2、P5之间的电势差U25B；再将U|25A/U|25B作为r的值推导出r‑Cf函数曲线；再根据r‑Cf函数曲线求得校正因子Cf的值，并根据校正因子Cf的值计算目标样品的方块电阻。本发明提供的方法及测量头，用于导电薄膜的测量。