首页/ 上海新储集成电路有限公司/ 专利详情

一种混合架构存储器及其制作方法

基本信息

申请号 CN201911061941.5 申请日 -
公开（公告）号 CN111092082A 公开（公告）日 2020-05-01
申请公布号 CN111092082A 申请公布日 2020-05-01
分类号 H01L27/108;H01L27/11551;H01L27/11578 分类 基本电气元件;
发明人 景蔚亮;张格毅;陈邦明 申请（专利权）人 上海新储集成电路有限公司
代理机构 上海申新律师事务所 代理人 上海新储集成电路有限公司
地址 201500 上海市金山区亭卫公路6505号2幢8号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种混合架构存储器的电容及制作方法，涉及集成电路中半导体存储器技术领域，包括衬底、逻辑电路层、晶体管层及存储层，所述逻辑电路层堆叠于所述衬底上方，所述晶体管层堆叠于所述逻辑电路层上方，所述存储层堆叠于所述晶体管层的上方；所述存储层包括三维存储阵列和电容阵列，所述电容阵列包含多个电容串，所述三维存储层包含多个存储串，所述三维存储阵列与所述电容阵列按照水平结构排列，且所述电容串与所述存储串具有相同的结构。本发明的有益效果是：帮助减少电压变化，同时可有效提高存储系统的读写性能和使用寿命。