一种1D1R超导电极材料结构的相变存储器的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201711184979.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107819070B | 公开（公告）日 | 2020-04-21 |
| 申请公布号 | CN107819070B | 申请公布日 | 2020-04-21 |
| 分类号 | H01L45/00;H01L27/24 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王本艳;景蔚亮;陈邦明 | 申请（专利权）人 | 上海新储集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 | 代理人 | 上海新储集成电路有限公司 |
| 地址 | 201500 上海市金山区亭卫公路6505号2幢8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种1D1R超导电极材料结构的相变存储器的制备方法，采用超导材料铌作为电极材料制备相变存储器。本发明的技术方案，使得电极材料层、加热电极层、第一电极以及第二电极均采用超导材料制备，使得相变存储器的电极材料在临界温度时电极材料可以实现无损耗地传输电能，减小相变存储器的工作电流，进而有效降低相变材料的低阻态阻值，加大高低阻态的的差异，使相变材料在非晶态和晶态的变化更为显著，提高了存储效率。 |
