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一种三维存储器结构的制备方法

基本信息

申请号 CN201910413491.5 申请日 -
公开（公告）号 CN110211928B 公开（公告）日 2021-11-26
申请公布号 CN110211928B 申请公布日 2021-11-26
分类号 H01L21/8242（2006.01）I;H01L27/11524（2017.01）I;H01L27/11551（2017.01）I;H01L27/1157（2017.01）I;H01L27/11578（2017.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 景蔚亮;张格毅;陈邦明 申请（专利权）人 上海新储集成电路有限公司
代理机构 上海申新律师事务所 代理人 俞涤炯
地址 201500上海市金山区亭卫公路6505号2幢8号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种三维存储器的制备方法，涉及集成电路的存储器制作技术领域，包含一衬底，于所述衬底上形成逻辑电路层，并于所述逻辑电路层上形成易失性存储层，随后于所述易失性存储层上形成三维存储层；所述易失性存储层中包括多个第一存储单元，所述第一存储单元为eDRAM存储单元；所述三维存储层中包括多个第二存储单元，所述第二存储单元为3D NAND存储单元；采用所述第一存储单元作为所述第二存储单元的缓存；每个所述第一存储单元包括一读晶体管、一写晶体管以及一电容，采用2T1C结构形成。本发明的有益效果：优化了三维存储器的制备方法，有效提高了三维存储器的读写性能和使用寿命。