一种3D闪存芯片的制作方法及电子产品
基本信息
| 申请号 | CN201910310509.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110085593B | 公开（公告）日 | 2021-12-21 |
| 申请公布号 | CN110085593B | 申请公布日 | 2021-12-21 |
| 分类号 | H01L27/11521（2017.01）I;H01L27/11556（2017.01）I;H01L27/11568（2017.01）I;H01L27/11582（2017.01）I;G06F3/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 景蔚亮;郭继鹏;陈邦明 | 申请（专利权）人 | 上海新储集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 北京权智天下知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 孙利 |
| 地址 | 518110 广东省深圳市龙华区观澜街道桂花社区惠民一路32号厂房五501 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体存储器制造技术领域，尤其涉及一种3D闪存芯片的制作方法及电子产品，包括步骤S1、提供一3D闪存芯片，3D闪存芯片包括一衬底，于衬底上形成多个闪存串，且每个闪存串包括多个存储单元；于每个闪存串中形成一电子沟道，并于电子沟道与存储单元的存储介质之间形成第一隧道氧化层或第二隧道氧化层；步骤S2、于一预设时间内，将采用第二隧道氧化层的存储单元中存储的数据转移备份至采用第一隧道氧化层的存储单元或片外存储单元中；步骤S3、于步骤S2之后，将数据重新加载至采用第二隧道氧化层的存储单元中。上述技术方案：打破传统3D闪存芯片制造工艺的壁垒，使3D闪存芯片既可以让数据保持时间较长又不影响数据读写速度。 |
