一种基于纯硬件器件过流保护的SiCMOSFET驱动电路
基本信息
| 申请号 | CN202111153240.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113839653A | 公开（公告）日 | 2021-12-24 |
| 申请公布号 | CN113839653A | 申请公布日 | 2021-12-24 |
| 分类号 | H03K17/081（2006.01）I;H03K17/687（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 张华;范斌涛;王婷;魏春燕;陈相吾;刘锋;马岩浩;王璞 | 申请（专利权）人 | 陕西省地方电力（集团）有限公司 |
| 代理机构 | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 项磊 |
| 地址 | 710000陕西省西安市高新区唐延路27号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种基于纯硬件器件过流保护的SiC MOSFET驱动电路，涉及保护电路领域，包括控制模块、PWM输出缓冲电路、驱动电路以及过流和短路保护电路，所述PWM输出缓冲电路与过流和短路保护电路都与控制模块连接，且PWM输出缓冲电路与过流和短路保护电路的输出都连接驱动电路的输入，所述驱动电路与过流和短路保护电路都与SiC MOSFET连接，通过在SiC MOSFET的源极串接电阻检测电流,将电流信号转为电压信号，使用LM211比较器与预定值进行比较，将比较信号经过光耦隔离输出后，直接接入SiC MOSFET驱动芯片的使能端，直接在SiC MOSFET驱动芯片侧进行保护，同时使用另一个光耦隔离输出接入主控模块的硬件保护中断引脚，双重保护。 |
