一种银纳米线复合透明导电薄膜的核壳封装制备方法

基本信息

申请号 CN202010216477.9 申请日 -
公开(公告)号 CN111430082B 公开(公告)日 2021-09-14
申请公布号 CN111430082B 申请公布日 2021-09-14
分类号 H01B13/00;H01B1/02 分类 基本电气元件;
发明人 戚芬强;黄江波;顾宏伟 申请(专利权)人 浙江星隆新材料科技有限公司
代理机构 北京金智普华知识产权代理有限公司 代理人 叶盛
地址 313001 浙江省湖州市红丰路1366号3幢1217-7
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种银纳米线复合透明导电薄膜的核壳封装制备方法,属于纳米材料与柔性光电薄膜技术领域。该方法主要通过在银纳米线分散液(AgNWS)中加入2‑甲基咪唑,混合均匀后涂布成膜,随后把Zn(NO3)2·6H2O溶液涂在膜的表面,自然风干后通过自组装在银纳米线的表面形成了以过渡金属Zn为连接点,2‑甲基咪唑为有机配体的晶体材料,简称ZOF。整个工艺及配方中没有用到任何的高分子树脂,因此纳米银线充分的展现了导电性;得到的透明导电膜由于ZOF在银纳米线节点处的沉积而实现节点“焊接”,其导电性能有提升;同时由于ZOF在银纳米线外表的沉积形成的核壳结构而导致其耐化学性、热稳定性及附着力都有很大的提升。