一种CMP后清洗装置及其清洗方法
基本信息

| 申请号 | CN201910729449.4 | 申请日 | - |
| 公开(公告)号 | CN110517975B | 公开(公告)日 | 2022-02-22 |
| 申请公布号 | CN110517975B | 申请公布日 | 2022-02-22 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I;B08B3/02(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 余涛;唐杰;朴灵绪 | 申请(专利权)人 | 若名芯半导体科技(苏州)有限公司 |
| 代理机构 | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 朱斌兵 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区4栋101室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要

| 摘要 | 本发明涉及一种CMP后清洗装置,包括:超声波装置,超声波装置内的清洗槽中浸满清洗液;前开式晶圆盒,可上下升降的设置在清洗液的上方;设置在前开式晶圆盒一侧的喷头,本发明还公开了一种CMP后清洗方法,包括如下步骤:Step1、提供一CMP后的晶圆;Step2、将晶圆放入晶圆盒中;Step3、晶圆盒下降,让晶圆浸泡在超声波装置中的清洗液中;Step4、对晶圆进行超声波清洗;Step5、多次重复上述四个步骤,直到晶圆盒中放满晶圆;Step6、将放满晶圆的晶圆盒直接取出备用,采用本发明的利用CMP后清洗装置进行CPM后的清洗方法,一台CMP后清洗装置能匹配多台CMP装置进行循环清洗,保证在CMP后晶圆的清洗效果的同时提高晶圆的产能。 |





