钙钛矿电池及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810236540.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108682740B | 公开（公告）日 | 2022-02-22 |
| 申请公布号 | CN108682740B | 申请公布日 | 2022-02-22 |
| 分类号 | H01L51/42（2006.01）I;H01L51/48（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱桂;安扬;田清勇;范斌 | 申请（专利权）人 | 苏州协鑫纳米科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 潘艳丽 |
| 地址 | 215300 江苏省苏州市昆山市玉山镇元丰路199号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种钙钛矿电池及其制备方法。其中，一种钙钛矿电池，包括：透明导电基底、空穴阻挡层，形成于所述透明导电基底上、氧化锡层、钝化层、钙钛矿层、空穴传输层、以及形成于所述空穴传输层上的金属电极。上述钙钛矿电池结构稳定性好、光电转化效率高。空穴阻挡层、氧化锡层、钝化层三层之间的位置关系设置合理，可以优化能带匹配。具体而言，氧化锡层较空穴阻挡层的导带低，而将氧化锡层紧挨钙钛矿层设置，这样氧化锡层可以与钙钛矿层之间形成更大的导带能极差，进而可以提高钙钛矿电池的电子迁移率，进一步提高钙钛矿电池的光电转化效率。再者，上述钙钛矿电池的磁滞现象减弱。 |
