一种基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法

基本信息

申请号	CN202110440484.1	申请日	-
公开（公告）号	CN112951942A	公开（公告）日	2021-06-11
申请公布号	CN112951942A	申请公布日	2021-06-11
分类号	H01L31/107;H01L31/18	分类	基本电气元件;
发明人	陈思铭;刘会赟;饶志治	申请（专利权）人	湖南汇思光电科技有限公司
代理机构	长沙市护航专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	莫晓齐
地址	410005 湖南省长沙市岳麓山大学科技城岳麓街道科技创意园5栋238房
法律状态	-

摘要

本发明具体公开了一种基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法，所述方法包括以下步骤：S1、将半绝缘砷化镓衬底送入MBE腔中去除表面氧化层；S2、在去除表面氧化层的半绝缘砷化镓衬底上生长一层砷化镓n型接触层；S3、在砷化镓n型接触层上生长一层非掺杂砷化镓雪崩倍增层；S4、在非掺杂砷化镓雪崩倍增层上生长一层p型砷化镓电子调节层；S5、在p型砷化镓电子调节层上生长一层非掺杂锗吸收层；S6、将步骤S5获得的砷化镓衬底通过真空传输输送至用于锗生长的MBE腔内并在砷化镓衬底上生长一层锗p型接触层，从而获得基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器。本发明通过将晶格匹配的锗材料外延生长在砷化镓衬底上，有效减少了器件的暗电流和制造成本。