一种基于InPOI衬底的InGaAs探测器结构及制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种基于InPOI衬底的InGaAs探测器结构及制备方法

基本信息

申请号	CN202110440480.3	申请日	-
公开（公告）号	CN112951940A	公开（公告）日	2021-06-11
申请公布号	CN112951940A	申请公布日	2021-06-11
分类号	H01L31/102;H01L31/0304;H01L31/18	分类	基本电气元件;
发明人	陈星佑;陈思铭;唐明初	申请（专利权）人	湖南汇思光电科技有限公司
代理机构	长沙市护航专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	莫晓齐
地址	410005 湖南省长沙市岳麓山大学科技城岳麓街道科技创意园5栋238房
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种基于InPOI衬底的InGaAs探测器结构及制备方法。所述的一种基于InPOI衬底的InGaAs探测器结构包括依次层叠设置的InPOI衬底、含铝砷化物阻挡层和下接触层、InGaAs吸收层及含铝砷化物窗口层和上接触层，所述InPOI衬底为从InP衬底上剥离下来后，转移至CMOS兼容的SOI衬底上的InP单晶薄膜，所述含铝砷化物阻挡层和下接触层以及所述含铝砷化物窗口层和上接触层的材料均为含铝砷化物，所述InGaAs吸收层的材料为InGaAs。本发明可以实现在与CMOS工艺兼容的SOI衬底上制备InP基InGaAs短波红外探测器，适合于低成本、大规模红外焦平面阵列制备，具有广泛的应用前景。