一种基于硅基量子点光子器件单片集成的方法
基本信息
| 申请号 | CN202010736420.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111883524A | 公开（公告）日 | 2020-11-03 |
| 申请公布号 | CN111883524A | 申请公布日 | 2020-11-03 |
| 分类号 | H01L25/16(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 廖梦雅 | 申请（专利权）人 | 湖南汇思光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 长沙市护航专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 湖南汇思光电科技有限公司 |
| 地址 | 410205湖南省长沙市高新开发区尖山路39号长沙中电软件园有限公司总部大楼G0575室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明具体公开了一种基于硅基量子点光子器件单片集成的方法，所述方法利用高质量硅上III‑V族直接外延技术和量子点技术，通过将激光器与其它主动和被动光电器件在CMOS兼容的SOI衬底上进行单片集成，充分发挥了硅基光子学的优势，从而获得包括激光器、调制器、硅波导和探测器集成的硅基量子点光发射模块，由于本发明中有源器件均使用同一种量子点外延异质结，并采用MBE设备同时生长而成，因而避免了高成本的二次外延生长。本发明通过采用选择性区域褪火与侧面光栅刻蚀技术，既保证了器件的性能又不需要引入二次外延生长，从而大大降低了成本。 |
