基于掺杂（Si）GeSn有源区的CMOS技术兼容硅基光源器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110482973.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113193089A | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN113193089A | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | H01L33/34（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 贾慧;唐明初;陈星佑;陈思铭 | 申请（专利权）人 | 湖南汇思光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 长沙市护航专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 莫晓齐 |
| 地址 | 410005湖南省长沙市岳麓山大学科技城岳麓街道科技创意园5栋238房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了基于掺杂（Si）GeSn有源区的CMOS技术兼容硅基光源器件及其制备方法。所述的基于掺杂（Si）GeSn有源区的CMOS技术兼容硅基光源器件包括Si衬底、n型缓冲层、n型下覆层、有源层、p型上覆层及SiN应力膜和n型、p型金属电极，所述有源层为掺杂的GeSn或SiGeSn有源层，所述掺杂的GeSn或SiGeSn有源层的掺杂类型为n型掺杂或p型掺杂，所述n型掺杂可为P（磷）掺杂或Sb（锑）掺杂，所述p型掺杂可为B（硼）掺杂。本发明能大幅提升器件发光效率，提升器件工作温度，降低阈值电流或能耗。 |
