一种PIN型InGaAsSb探测器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110704500.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113363341A | 公开（公告）日 | 2021-09-07 |
| 申请公布号 | CN113363341A | 申请公布日 | 2021-09-07 |
| 分类号 | H01L31/105;H01L31/0304;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈星佑;陈思铭;唐明初 | 申请（专利权）人 | 湖南汇思光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 长沙市护航专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 莫晓齐 |
| 地址 | 410005 湖南省长沙市岳麓山大学科技城岳麓街道科技创意园5栋238房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种一种PIN型InGaAsSb探测器及其制备方法，所述探测器包括自下而上依次设置的InP（001）衬底、n型InP缓冲层和下接触层、i型近晶格匹配的InGaAsSb吸收层，以及p型InP帽层和上接触层。其中，所述i型近晶格匹配的InGaAsSb吸收层中的Sb组分含量为0.001～0.01，其厚度范围为1500～3000nm，其掺杂浓度为1×1014～1×1016cm‑3。本发明中的所述InGaAsSb探测器能够有效改善材料结晶质量，提升探测器的性能。 |
