基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓层生长方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓层生长方法

基本信息

申请号	CN202011286959.8	申请日	-
公开（公告）号	CN112397374A	公开（公告）日	2021-02-23
申请公布号	CN112397374A	申请公布日	2021-02-23
分类号	H01L21/02(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	陈思铭;唐明初;廖梦雅	申请（专利权）人	湖南汇思光电科技有限公司
代理机构	长沙市护航专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	莫晓齐
地址	410205湖南省长沙市高新开发区尖山路39号长沙中电软件园有限公司总部大楼G0575室
法律状态	-

摘要

本发明具体公开了一种基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓层生长方法，所述方法包括以下步骤：S1、将硅衬底送入MBE腔中去除其表面氧化层；S2、在去除表面氧化层的硅衬底上生长一层第一外延层并退火；S3、通过步骤S2的退火后进行砷化铟纳米点生长；S4、通过步骤S3的砷化铟纳米点生长后再生长一层第二外延层并再次退火；S5、通过步骤S4的再次退火后并生长一层砷化镓缓冲层，从而获得基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓衬底。本发明通过采用纳米尺寸的空洞极大降低了硅衬底上穿透型位错密度，能够有效避免硅衬底在后续砷化镓生长中因使用过多层数超晶格位错过滤层而导致的微裂缝问题，从而提高了硅基砷化镓衬底上器件的性能。