一种基于GaAsOI衬底的InAs量子点激光器结构及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110463249.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113178771A | 公开（公告）日 | 2021-07-27 |
| 申请公布号 | CN113178771A | 申请公布日 | 2021-07-27 |
| 分类号 | H01S5/02;H01S5/343 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈星佑;陈思铭;唐明初 | 申请（专利权）人 | 湖南汇思光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 长沙市护航专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 莫晓齐 |
| 地址 | 410005 湖南省长沙市岳麓山大学科技城岳麓街道科技创意园5栋238房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种基于GaAsOI衬底的InAs量子点激光器结构及制备方法。所述的一种基于GaAsOI衬底的InAs量子点激光器结构包括依次层叠设置的GaAsOI衬底、GaAs缓冲层和下接触层、AlGaAs下阻挡层、InAs量子点有源区、AlGaAs上阻挡层及GaAs上接触层，所述GaAsOI衬底为从GaAs衬底上剥离并转移至CMOS兼容的SOI衬底上，并经处理后得到的GaAs单晶薄膜。本发明可以实现在与CMOS工艺兼容的SOI衬底上制备InAs量子点激光器，适合于硅基光电集成缺少核心光源的研制，具有广泛的应用前景。 |
