一种基于CMOS技术兼容硅衬底的III-V族化合物材料生长方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种基于CMOS技术兼容硅衬底的III-V族化合物材料生长方法

基本信息

申请号	CN202010415449.X	申请日	-
公开（公告）号	CN111540671A	公开（公告）日	2020-08-14
申请公布号	CN111540671A	申请公布日	2020-08-14
分类号	H01L21/02(2006.01)I	分类	-
发明人	廖梦雅	申请（专利权）人	湖南汇思光电科技有限公司
代理机构	长沙市护航专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	湖南汇思光电科技有限公司
地址	410205湖南省长沙市高新开发区尖山路39号长沙中电软件园有限公司总部大楼G0575室
法律状态	-

摘要

本发明具体公开了一种基于CMOS技术兼容硅衬底的III‑V族化合物材料生长方法，所述方法包括以下步骤：S1、将无切角硅衬底送入MBE腔内以去除无切角硅衬底表面的氧化层；S2、在去除表面氧化层的无切角硅衬底上生长一层硅外延层并进行MBE腔内退火；S3、在经过退火后的无切角硅衬底上进行III‑V族化合物材料生长以形成III‑V族化合物缓冲层。本发明利用MBE设备在无切角硅衬底上生长了一层硅外延层，然后结合生长在硅外延层上的III‑V族化合物缓冲层将反向畴终结在III‑V族化合物缓冲层中，从而有效避免了反向畴出现在硅基光源的有源区中，解决了III‑V族化合物在外延生长到非极性的硅衬底时所产生大量反向畴的问题。