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一种低硼纯晶硅

基本信息

申请号	CN201810502251.8	申请日	-
公开（公告）号	CN108441952A	公开（公告）日	2018-08-24
申请公布号	CN108441952A	申请公布日	2018-08-24
分类号	C30B29/06;C30B28/04	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	豆衍林;孔德仓;豆旭东;豆中宝;瞿朝柱;豆鹏寿;豆巨鹏	申请（专利权）人	甘肃金土新能源材料科技有限公司
代理机构	兰州中科华西专利代理有限公司	代理人	甘肃金土新能源材料科技有限公司;永靖县申通耐磨材料有限公司
地址	731600 甘肃省临夏回族自治州永靖县刘家峡镇大庄村
法律状态	-

摘要

本发明的目的在于提供一种低硼纯晶硅，此低硼纯晶硅能够达到太阳能级纯晶硅的要求，是以物理法纯晶硅生产方式替代西门子法、改良西门子法或硅烷法等化学法生产的纯晶硅，首先将碳原料与二氧化硅混合，在1500‑2700℃的温度下进行第一次冶炼制得碳化硅；然后将a步骤制得的碳化硅再次与二氧化硅混合，在1500‑2700℃的温度下进行第二次冶炼，制得低硼纯晶硅。本发明通过选用硼含量小于0.2ppm的碳原料、硼含量小于0.14ppm的第一部分二氧化硅和硼舍量小于0.14ppm的第二部分二氧化硅，冶炼制得的纯晶硅无需再次脱硼即能够满足太阳能级低硼纯晶硅的要求。本发明在太阳能级纯晶硅市场上有极大的推广价值，符合国家目前大力提倡的循环经济，具有显著的环境效益和社会效益。