非挥发性半导体存储单元、器件及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201010527589.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102456746B | 公开（公告）日 | 2014-03-12 |
| 申请公布号 | CN102456746B | 申请公布日 | 2014-03-12 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 霍宗亮;刘明;张满红 | 申请（专利权）人 | 宁夏储芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 中国科学院微电子研究所;宁夏储芯科技有限公司 |
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 发明公开了一种非挥发性半导体存储单元、器件及制备方法。该存储单元包括：衬底；源区和漏区，形成于衬底上部沟道的两侧，非挥发性半导体存储单元周边；栅堆栈，形成于衬底上部沟道之上，与源区和漏区相连通，其中栅堆栈包括作为存储层的金属性薄膜浮栅。本发明的存储单元及器件中，金属性薄膜浮栅代替现有技术中的多晶硅浮栅，从而能够增加电荷的存储能力，有利于存储单元的数据保持特性。 |
