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一种无电容型动态随机访问存储器结构及其制备方法

基本信息

申请号 CN201010251514.6 申请日 -
公开（公告）号 CN102376715B 公开（公告）日 2014-03-12
申请公布号 CN102376715B 申请公布日 2014-03-12
分类号 H01L27/108(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 霍宗亮;刘明 申请（专利权）人 宁夏储芯科技有限公司
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 中国科学院微电子研究所;宁夏储芯科技有限公司
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
法律状态 -

摘要

摘要 发明公开了一种无电容型动态随机访问存储器结构及其制备方法。无电容动态随机访问存储器结构在满足高碰撞电离率所要求的高漏压的前提下，通过对源漏结区附近采用不同的栅介质材料或者栅介质厚度增大了该区域的栅介质的电学厚度，从而有效降低了垂直方向的电场，同时通过在沟道中央区域的薄的氧化层或者采用高K材料，从而提高了栅控能力并抑制了短沟道效应。该发明结构能够有效抑制栅介质退化、提高存储单元的可靠性(耐久性)、有利于器件的按比例缩小，同时该无电容结构完全避免了常规1T1C结构中的电容结构的复杂工艺。其采用的制造工艺与常规的逻辑工艺完全兼容，也有利于高密度三维的工艺集成。