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一种非挥发性存储器件的编程方法

基本信息

申请号 CN201110022638.1 申请日 -
公开（公告）号 CN102610277B 公开（公告）日 2015-02-04
申请公布号 CN102610277B 申请公布日 2015-02-04
分类号 G11C16/10(2006.01)I 分类 信息存储;
发明人 霍宗亮;姜丹丹;刘明;张满红;王琴;刘璟;李冬梅 申请（专利权）人 宁夏储芯科技有限公司
代理机构 北京华沛德权律师事务所 代理人 中国科学院微电子研究所;宁夏储芯科技有限公司
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种非挥发性存储器件的编程方法，属于非挥发性存储器技术领域。所述存储器件为堆栈栅非挥发性存储器件时，所述方法包括如下步骤：在编程时刻前，于非挥发性存储器件的漏极和/或源极，施加预定脉冲宽度和电压的负脉冲；于编程时刻，在栅极和漏极,或栅极和源极施加脉冲宽度相同的正向同步脉冲。本发明通过扩大热电子注入编程时电子注入区域的范围，增加注入电子的数量，从而提高电子的注入效率，使得存储窗口增大。同时，扩大的注入范围，可以有效降低电子窄范围注入时对隧穿介质层带来的损坏，提高非挥发性存储器的可靠性，延长电荷在存储层中的保持时间以及增加存储其编程/擦除的次数。