硅片打孔系统及方法
基本信息
| 申请号 | CN201010226293.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102330089B | 公开（公告）日 | 2013-07-17 |
| 申请公布号 | CN102330089B | 申请公布日 | 2013-07-17 |
| 分类号 | C23F1/08(2006.01)I;C23F1/10(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 王磊;景玉鹏 | 申请（专利权）人 | 宁夏储芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 | 代理人 | 中国科学院微电子研究所;宁夏储芯科技有限公司 |
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种硅片打孔系统包括：提供氢氟酸的氢氟酸储罐、提供臭氧的臭氧发生器、提供CO2的二氧化碳气瓶，用于形成所述氢氟酸、所述臭氧及所述CO2的混合流体且使所述混合流体中的CO2达到超临界态的控制装置及用于对硅片打孔的反应腔室；所述氢氟酸储罐、所述CO2气瓶及所述臭氧发生器的出口与所述控制装置的入口连接，所述控制装置的出口与所述反应腔室的入口连接。本发明还公开了一种打孔方法包括：形成含超临界态CO2、氢氟酸及臭氧的混合流体；及使用所述混合流体对硅片进行打孔处理。根据本发明的硅片打孔系统及方法，在硅片打孔时，可降低对硅片的损伤。 |
