一种同时制造碳化硅单晶及碳化硅多晶的装置及方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种同时制造碳化硅单晶及碳化硅多晶的装置及方法

基本信息

申请号	CN202210112784.1	申请日	-
公开（公告）号	CN114395799A	公开（公告）日	2022-04-26
申请公布号	CN114395799A	申请公布日	2022-04-26
分类号	C30B28/00（2006.01）I;C30B28/04（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	郭超;母凤文	申请（专利权）人	北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	王士强
地址	100083北京市海淀区花园北路25号小关（厂南区）4号楼1层146
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种同时制造碳化硅单晶及碳化硅多晶的装置及方法，其属于半导体制造技术领域，同时制造碳化硅单晶及碳化硅多晶的装置包括腔室、感应线圈、坩埚及晶杆组件；坩埚设于腔室内，用于容置助溶剂；晶杆组件包括晶杆及连接于晶杆一端并位于坩埚内的晶托，晶杆的另一端位于腔室外；坩埚为石墨坩埚，晶托连接籽晶，石墨坩埚的底部内壁能生长碳化硅多晶，籽晶未连接晶托的表面能生长碳化硅单晶；或者坩埚的底部内壁设有籽晶块，晶托为石墨托，籽晶块上能生长碳化硅单晶，石墨托未连接晶杆的表面能生长碳化硅多晶。本发明能够在一次制造过程中，同时得到碳化硅单晶和碳化硅多晶，无需分次制造或采用两个制造装置制造，具有较高的效率和较低的成本。