一种制造碳化硅晶体的装置及制造碳化硅晶体的方法
基本信息
| 申请号 | CN202210102342.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114481317A | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN114481317A | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | C30B27/02（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 郭超;母凤文 | 申请（专利权）人 | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 100083北京市海淀区花园北路25号小关（厂南区）4号楼1层146 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种制造碳化硅晶体的装置及制造碳化硅晶体的方法，该制造碳化硅晶体的装置包括壳体、坩埚组件、籽晶组件、加热件和石墨件，壳体限定出容纳腔，坩埚组件包括石墨坩埚和设在石墨坩埚内的非石墨坩埚，非石墨坩埚用于承载助溶剂溶液，籽晶组件可升降配合在壳体内，且籽晶组件的一端伸入坩埚组件内，籽晶组件用于承载碳化硅晶体，加热件设在容纳腔内且环绕坩埚组件设置，石墨件可升降地配合在壳体内，石墨件的一端浸入助溶剂溶液内。该制造碳化硅晶体的装置能够降低碳化硅晶体的制造成本，延长纯石墨坩埚的使用寿命。 |
