一种模拟晶体的生长方法、晶体的生长方法及装置
基本信息
| 申请号 | CN202210124257.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114411236A | 公开（公告）日 | 2022-04-29 |
| 申请公布号 | CN114411236A | 申请公布日 | 2022-04-29 |
| 分类号 | C30B9/08（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I;C30B35/00（2006.01）I;G06F30/28（2020.01）I;G16C20/70（2019.01）I;G16C60/00（2019.01）I;G06F111/06（2020.01）N;G06F113/08（2020.01）N;G06F119/14（2020.01）N | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 郭超;母凤文 | 申请（专利权）人 | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 初春 |
| 地址 | 100083北京市海淀区花园北路25号小关（厂南区）4号楼1层146 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种模拟晶体的生长方法、晶体的生长方法及装置。该模拟晶体的生长方法包括：建立晶体生长计算流体力学模型，其中，所述晶体生长计算流体力学模型的虚拟晶体生长环境模拟实际晶体生长环境；虚拟晶体每生长第一预设时间，根据虚拟晶体中至少一个生长界面的当前形状，对当前时刻之前的长晶工艺参数进行调整；虚拟晶体每生长第一预设时间，将调整之后的长晶工艺参数作为所述虚拟晶体继续生长的长晶工艺参数。本发明实施例提供的技术方案实现了一种可以准确模拟晶体生长全程的情况，并且对于实际晶体生长的全过程的长晶工艺参数具有指导价值的模拟晶体的生长方法。 |
