一种碳化硅晶体生长装置及碳化硅晶体生长方法
基本信息
| 申请号 | CN202210102307.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114481293A | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN114481293A | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | C30B15/00（2006.01）I;C30B15/20（2006.01）I;C30B15/10（2006.01）I;C30B15/14（2006.01）I;C30B27/02（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 郭超;母凤文 | 申请（专利权）人 | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 100083北京市海淀区花园北路25号小关（厂南区）4号楼1层146 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置及碳化硅晶体生长方法，该碳化硅晶体生长装置包括壳体、石墨坩埚、籽晶组件和加热件。壳体限定出容纳腔，石墨坩埚设在容纳腔内，石墨坩埚用于容纳助溶剂溶液，籽晶组件沿竖直方向可升降配合在壳体上，籽晶组件的一端伸入石墨坩埚内，籽晶组件用于承载生长的碳化硅晶体，加热件位于石墨坩埚的径向外侧：加热件和石墨坩埚中的至少一个沿竖直方向可升降。该碳化硅晶体生长装置，在生长过程中能够维持助溶剂溶液的液面相对于加热件的位置不变，维持助溶剂液面下方的温度梯度恒定，从而增加结晶的稳定性和一致性。 |
