一种碳化硅多晶的制造装置及方法
基本信息
| 申请号 | CN202210112585.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114481325A | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN114481325A | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | C30B29/36（2006.01）I;C30B28/04（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 郭超;母凤文 | 申请（专利权）人 | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 100020北京市海淀区花园北路25号小关（厂南区）4号楼1层146 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅多晶的制造装置及方法，其属于半导体制造技术领域，碳化硅多晶的制造装置包括腔室、感应线圈、石墨坩埚、晶杆及石墨托，感应线圈设于所述腔室内；石墨坩埚设于所述腔室内，且所述石墨坩埚用于容置助溶剂，且所述石墨坩埚的底部内壁能生长碳化硅多晶；所述晶杆的一端位于所述石墨坩埚内，所述晶杆的另一端位于所述腔室外；石墨托固接于所述晶杆的一端，所述石墨托朝向所述石墨坩埚底壁的底面能生长碳化硅多晶。本发明提供的碳化硅多晶的制造装置及方法能够用于生长制造碳化硅多晶，具有较高的效率和较低的成本。 |
