首页/ 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司/ 专利详情

一种晶体生长气氛的控制装置及其控制方法

基本信息

申请号 CN202210131896.1 申请日 -
公开（公告）号 CN114351245A 公开（公告）日 2022-04-15
申请公布号 CN114351245A 申请公布日 2022-04-15
分类号 C30B15/20（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 郭超;母凤文 申请（专利权）人 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 黄建祥
地址 100083北京市海淀区花园北路25号小关（厂南区）4号楼1层146
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及晶体的生产技术领域，公开一种晶体生长气氛的控制装置及其控制方法。其中晶体生长气氛的控制装置包括：晶体生长组件，其内限定出反应腔；气压测量件，用于检测反应腔内的气压；气体控制组件，与反应腔连通，气体控制组件均包括用于设定通入反应腔的工艺气体的气体流量的气体流量限定件；抽气组件，与反应腔连通，抽气组件能够将反应腔内的气体向外抽出，以使反应腔内的气压位于预设气压范围内。本发明公开的晶体生长气氛的控制装置的抽气组件能够将反应腔内的气体向外抽出，使得气压测量件检测的反应腔内的气压位于预设气压范围内，提升了晶体的生长质量。