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一种碳化硅复合基板的制造方法及制造装置

基本信息

申请号 CN202210551153.X 申请日 -
公开（公告）号 CN114717651A 公开（公告）日 2022-07-08
申请公布号 CN114717651A 申请公布日 2022-07-08
分类号 C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 郭超;母凤文 申请（专利权）人 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 -
地址 100083北京市海淀区花园北路25号小关（厂南区）4号楼1层146
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种碳化硅复合基板的制造方法及制造装置，所述制造方法包括如下步骤：在保护性气氛中，使用含硅溶液交替生长单晶层与多晶层；切片，得到包括单晶层与多晶层的复合基板，复合基板中单晶层的数量与多晶层的数量相等；所述制造装置适用于所述制造方法，通过本发明提供的制造方法制备碳化硅复合基板，由于采用单晶层与多晶层交替生长的方式，生长至一定厚度的时间远小于生长单一的单晶碳化硅，且通过切片即可得到复合基板，提高了碳化硅复合基板的制造效率，降低了碳化硅复合基板的生产成本。