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一种碲化镉薄膜太阳电池及制备方法

基本信息

申请号 CN201810665289.7 申请日 -
公开（公告）号 CN108878546B 公开（公告）日 2022-02-01
申请公布号 CN108878546B 申请公布日 2022-02-01
分类号 H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/0445（2014.01）I;H01L31/073（2012.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;蒋猛;钱双 申请（专利权）人 成都中建材光电材料有限公司
代理机构 成都市集智汇华知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 李华;温黎娟
地址 610000四川省成都市双流区西航港街道空港二路558号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种碲化镉薄膜太阳电池及制备方法，所述碲化镉薄膜太阳电池由下至上依次包括衬底层、透明导电层、窗口层、光吸收层、第一背接触层、第二背电极层，所述窗口层的材料为硫化镉薄膜，所述光吸收层的材料为碲化镉薄膜，所述背接触层的材料为氮化铜薄膜，背电极层的材料为镍钒合金。本申请的技术方案可以克服传统碲化镉电池铜掺杂过程铜元素扩散造成的衰减降低及生产成本高的问题，所述背接触结构能降低与碲化镉的接触势垒，形成欧姆接触，双层背接触结构进一步提高载流子电导率，从而提高碲化镉薄膜太阳电池的性能。