一种提高碲化镉薄膜太阳能电池良率的方法
基本信息
申请号 | CN202111406014.X | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114141676A | 公开(公告)日 | 2022-03-04 |
申请公布号 | CN114141676A | 申请公布日 | 2022-03-04 |
分类号 | H01L21/677(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 尹玉钦;付杨生;胡其林;李廉炳;樊建平;罗润;王磊;彭寿;潘锦功;傅干华;蒋猛;赵雷 | 申请(专利权)人 | 成都中建材光电材料有限公司 |
代理机构 | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 李华;温黎娟 |
地址 | 610000四川省成都市双流区西航港街道空港二路558号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种提高碲化镉薄膜太阳能电池良率的方法,该方法是将原有传输芯片的传输辊的全接触方式改为点接触方式。具体实现方法为将上述传输辊设计为具有多个支撑点的传输辊,支撑点位置分别对应前面工序在芯片表面产生的传输滚轮印痕。优选的结构形式为所述传输辊的外表包裹有橡胶筒,橡胶筒上对应支撑点的位置开有沟槽,沟槽上套有氟橡胶圈,氟橡胶圈的直径大于橡胶筒的直径。本发明采用多点支撑的传输辊可以将氯化镉涂覆时可能产生的外观不良控制在芯片原有传输滚轮印痕范围内,降低了芯片受光面氯化镉残留的风险,提升了产品良率。 |
