太阳能薄膜电池及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111575904.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113964244A | 公开（公告）日 | 2022-01-21 |
| 申请公布号 | CN113964244A | 申请公布日 | 2022-01-21 |
| 分类号 | H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0296（2006.01）I;H01L31/0445（2014.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 唐茜;傅干华;蒋猛;潘锦功;彭寿 | 申请（专利权）人 | 成都中建材光电材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 杨勋 |
| 地址 | 610200四川省成都市双流区西航港街道空港二路558号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种太阳能薄膜电池及其制作方法，涉及光伏技术领域。本申请实施例的制备方法采用了底衬结构，即在衬底上依次形成金属层、光吸收层、窗口层和TCO层。光吸收层中的掺杂V族元素能够使空穴浓度提高，有利于提高光电转换效率。而且本申请实施例的制作方法中，无需使用弱酸溶液对氧化层进行去除，减少了含Cd或其他V族元素的废水的排放，制作工艺更为环保。此外，因采用底衬结构，用CdCl2激活时，Cl从窗口层依次向CdTe层、CdTe:V层扩散，可以减少CdTe:V层的Cl含量，从一定程度上减少因Cl扩散引起的V族元素掺杂量降低。 |
