用气流床反应器排放氮气生产氮化硅结合碳化硅制品的隧道窑
基本信息
| 申请号 | CN201310024123.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103115487A | 公开（公告）日 | 2013-05-22 |
| 申请公布号 | CN103115487A | 申请公布日 | 2013-05-22 |
| 分类号 | F27B9/02(2006.01)I;F27B9/12(2006.01)I;F27B9/26(2006.01)I;F27B9/30(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I | 分类 | 炉；窑；烘烤炉；蒸馏炉〔4〕; |
| 发明人 | 王文东;尹克胜;尹弘毅;尹建程;刘红亮 | 申请（专利权）人 | 无锡拓海投资有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 276700 山东省临沭县蛟龙镇后利城村 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 用气流床反应器排放氮气生产氮化硅结合碳化硅制品的隧道窑，隧道窑与配套的隧道窑窑车组合形成隧道式烧结通道，工作压力≤0.1MPa，隧道截面积是气流床截面积的0.5--4倍，长度是气流床高度5--20倍，形成预热带、烧成带、冷却带；装在窑车上的利用晶体硅加工废砂浆回收的二元砂为原料制备的陶瓷毛坯由窑头进入隧道窑预热带，与烧成段带过来的高温氮气换热，完成毛坯预热；预热后的毛坯与气流床反应器排出的温度≤1600℃的氮气发生氮化烧结反应；进入冷却带，与制氮系统制备的氮气换热降温到200--600℃时出隧道窑，成为氮化硅结合碳化硅陶瓷材料；完成预热换热的氮气温度在300--800℃，从隧道窑预热带前部的排气通道排出，进入硅粉滤饼干燥机干燥硅粉。 |
