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一种LED芯片及其制作方法与应用

基本信息

申请号 CN202110573499.5 申请日 -
公开（公告）号 CN113410362A 公开（公告）日 2021-09-17
申请公布号 CN113410362A 申请公布日 2021-09-17
分类号 H01L33/44（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 陈明飞;刘永成;王金科;江长久;陈明高;王志杰;徐胜利;郭梓旋 申请（专利权）人 长沙壹纳光电材料有限公司
代理机构 广州嘉权专利商标事务所有限公司 代理人 肖云
地址 410000湖南省长沙市金洲新区澳洲路068号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法与应用，该LED芯片包括底层，所述底层表面设有N型半导体层（3）；所述N型半导体层（3）分为第一区域和第二区域；所述第一区域表面设有中间层；所述中间层表面设有P型透明导电层；所述P型透明导电层和第二区域表面设有顶层；其中，所述P型透明导电层由包括SnO2复合材料和Cu2O复合材料的一种；所述SnO2复合材料包括SnO2与In2O3；所述Cu2O复合材料包括Cu2O与NiO。本发明通过在外延片的表面沉积P型透明导电层，提高了P型透明导电层中“空穴”向外延片的注入效率，降低了LED芯片正向电压，提升了LED芯片亮度。