一种P-GAN层改性的LED芯片及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110102443.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112750929A | 公开（公告）日 | 2021-05-04 |
| 申请公布号 | CN112750929A | 申请公布日 | 2021-05-04 |
| 分类号 | H01L33/22;H01L33/36;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈明飞;刘永成;王金科;郭梓旋 | 申请（专利权）人 | 长沙壹纳光电材料有限公司 |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 伍传松 |
| 地址 | 410000 湖南省长沙市金洲新区澳洲路068号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种P‑GAN层改性的LED芯片及其制作方法，该LED芯片从下至上依次包括以下各层：外延片、ITO透明导电层和顶层；其中，所述外延片上表面为P‑GaN层；所述P‑GaN层需经过等离子体轰击改性处理。其通过对P‑GaN层进行改性，破坏了P‑GaN层表面的晶体结构，降低了ITO透明导电层与P‑GaN层表面的界面能，提高了ITO透明导电层的“空穴”注入效率，从而降低了LED芯片正向电压和提升了LED芯片亮度。 |
