一种高性能p型碲化铋基热电发电材料的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201010565725.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102108554A | 公开（公告）日 | 2011-06-29 |
| 申请公布号 | CN102108554A | 申请公布日 | 2011-06-29 |
| 分类号 | C30B29/46(2006.01)I;C30B13/00(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 郑俊辉;陈果;郑艳丽;张卫华 | 申请（专利权）人 | 江西纳米克热电电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 南昌新天下专利商标代理有限公司 | 代理人 | 施秀瑾 |
| 地址 | 330000 江西省南昌市高新开发区江钢工业区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种高性能p型碲化铋基热电发电材料的制备方法，以工业化大批量生产的高纯碲块、铋块和锑块为原料，经过去氧化层、粉碎后，按一定的比例称量后置于处理好的玻璃管内，经过封装、熔化、区熔生长、退火，得到p型碲化铋基热电半导体晶棒。在30~300℃下，平均ZT值达0.75以上。所使用的原料廉价易得、无毒环保、设备工艺简单、能耗低、产量大、可大规模工业化生产。 |
