一种掺杂用硅浆料、制备方法及硅片的掺杂方法

基本信息

申请号 CN201911406068.9 申请日 -
公开(公告)号 CN111261729A 公开(公告)日 2020-06-09
申请公布号 CN111261729A 申请公布日 2020-06-09
分类号 H01L31/0216(2014.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 龚健花;杨建平;秦贤松;闫方存 申请(专利权)人 上海匡宇科技股份有限公司
代理机构 上海知义律师事务所 代理人 上海匡宇科技股份有限公司
地址 201201上海市浦东新区张江高科技产业东区瑞庆路528号20幢甲号2层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种掺杂用硅浆料、制备方法及硅片的掺杂方法。其中掺杂方法,包括如下步骤:S31配置掺杂用硅浆料的步骤;S32对硅片基底进行预处理的步骤;S33通过丝网印刷技术将所述掺杂用硅浆料涂覆在硅片表面的步骤;S34对完成掺杂用硅浆料涂覆的硅片进行热处理的步骤;S35对掺杂处理完成后的硅片进行性能测试的步骤。本发明所提供的掺杂用硅浆料、制备方法及硅片的掺杂方法浆料均匀性和印刷性能佳,有效提高硅片的导电率。